شرائح ذاكرة صينية ترفع السعة 50% وتدخل الإنتاج الواسع

أعلنت أكبر شركة صينية لإنتاج ذاكرة DRAM انتقال جيل أعلى كثافة من التطوير إلى التصنيع الواسع. كشفت CXMT المنصة في 20 سبتمبر خلال مؤتمر التصنيع العالمي في خفي، وقدمت معها منتجين بسعة 24 غيغابت للهواتف والأجهزة المحمولة.

تقول CXMT إن الشريحتين تخزنان بيانات أكثر بنسبة 50% من المنتجين السابقين المماثلين، وإن المنصة تتيح وضع عدد إجمالي من القوالب على الرقاقة يزيد 50% على الأقل عن الجيل الرابع.

ما الذي دخل خطوط الإنتاج؟

ذاكرة DRAM هي مساحة العمل المؤقتة التي يستخدمها الجهاز أثناء تشغيل التطبيقات. أما LPDDR5X فهي نسخة منخفضة الاستهلاك مخصصة للأجهزة التي تعمل بالبطارية. تعادل سعة 24 غيغابت ثلاثة غيغابايت في القالب الواحد، ويمكن جمع عدة قوالب داخل حزمة واحدة لتكوين السعات الأكبر في الهواتف والأجهزة اللوحية.

تطرح CXMT المنتجين في شكلين مختلفين للحزم. وتقول إن المسافة بين السمات الأساسية في خلايا التخزين تقلصت إلى 11.95 نانومتر، باستخدام تقنية النقش الرباعي التي تكرر خطوات الطباعة والمعالجة لرسم أنماط أدق بالمعدات المتاحة.

لماذا يهم هذا التغيير الصناعي؟

زيادة عدد البتات داخل القالب تقلل مساحة السيليكون اللازمة للسعة نفسها. كما أن إنتاج قوالب أكثر من كل رقاقة قد يخفض تكلفة الوحدة إذا اجتاز عدد كاف منها الاختبارات. وهنا يأتي التحفظ المهم: رقم الزيادة البالغ 50% يحصي القوالب الإجمالية قبل استبعاد الوحدات المعيبة، ولا يمثل مردود الإنتاج النهائي.

للخطوة بعد يتعلق بسلسلة التوريد أيضا. تهيمن سامسونغ وSK Hynix وMicron على سوق DRAM العالمية، بينما حدت ضوابط التصدير الأميركية من وصول الصين إلى بعض معدات وبرامج صناعة الرقائق المتقدمة. قد يضيف المنتج الجديد مصدرا محليا أعلى كثافة، لكن حجم توفره خارج الصين لا يزال مجهولا.

لا تختزل صناعة الرقائق في رقم واحد للمسافة. سبق أن شرحت نيوتقنية كيف عالج ترانزستور نفقي منخفض الجهد جانبا آخر من المشكلة، وهو طاقة التبديل. يجب أن تعمل الكثافة والسرعة والطاقة ومعدل العيوب والتكلفة معا داخل منتج تجاري.